La nouvelle technologie de puce d’Intel pour des performances en 2025


Le 26 juillet 2021, l’Intel Accelerated Event a eu lieu. Au cours de l’événement, Intel Corporation a révélé les détails de la procédure ainsi que la feuille de route de la technologie d’emballage. Toutes les technologies de nœuds à venir jusqu’en 2025 ont déjà été révélées.

RibbonFET, une nouvelle technologie de processus, a été officiellement dévoilée par Intel, c’est-à-dire une nouvelle architecture de transistor. En plus de cela, Intel a également annoncé une nouvelle technologie appelée PowerrVia. PowerVia est une technologie de nouvelle génération qui utilise l’alimentation électrique par l’arrière.

Intel prévoit simultanément d’adopter rapidement la lithographie ultraviolette extrême (EUV) de nouvelle génération pour la prochaine génération de processeurs. Ces processeurs improviseront de manière efficace sur le plan énergétique. Intel est également annoncé être le premier du secteur à recevoir l’outil de protocole High NA EUV (High Numerical Aperture).

Selon les termes du PDG de la société, Intel suit la feuille de route pour être le leader de la performance d’ici 2025.

Pat Gelsinger, PDG d’Intel, a révélé dans un communiqué que « la société travaille sur son pipeline inégalé d’innovations de nouvelle génération pour fournir les dernières avancées technologiques avancées du transistor jusqu’au niveau système élevé ».

Feuille de route d’Intel pour les technologies de processus à venir

Pour simplement remplacer l’actuelle technologie 10nm SuperFin nouvelle génération, la nouvelle technologie Intel 7 a été dévoilée. Il va offrir 10% à 15% d’amélioration de ses performances par watt. En outre, il devrait confirmer l’expédition de la technologie Intel 7 sur les processeurs Alder Lake en 2021. Cela enregistrera son siège dans la chaîne de production d’ici la fin de cette année.

Intel 4 sera la première technologie de fabrication de la société à utiliser complètement la technologie EUV. Cette technique s’appuie sur la lumière à longueur d’onde ultra-courte et offrira une amélioration de 20% de ses performances par watt. Cela enregistrera son siège dans la chaîne de production d’ici la fin de cette année et atterrira pour les ventes en 2023.

Une version optimisée de FinFET est Intel 3. Intel 3 devrait offrir une amélioration de 18 % des performances par watt par rapport aux technologies Intel 4. Les processeurs basés sur les fabrications Intel 3 enregistreront leur siège sur la chaîne de production d’ici la fin de 2023.

Intel 20A sera la technologie de fabrication de nouvelle génération. Intel20A utilise à la fois les technologies RibbonFET et PowerVia. Ce serait la première tentative d’Intel d’utiliser un transistor gate-all-around. La conception d’Intel 20A devrait être lancée d’ici 2024. Il a un partenariat avec Qualcomm.

Le successeur d’Intel 20A est Intel 18A. Le modèle arrivera sur le marché fin 2025. Les procédés comme le RibbonFET seront affinés par cette technologie pour obtenir une meilleure efficacité énergétique. Il est également prévu d’utiliser la prochaine génération High NA EUV.

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