Vishay Intertechnology Le meilleur MOSFET à canal P de -80 V automobile au monde augmente l’efficacité et la densité de puissance NYSE: VSH

MALVERN, Pennsylvanie, 7 avril 2021 (GLOBE NEWSWIRE) – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) a présenté aujourd’hui le meilleur TrenchFET à canal p -80 V qualifié AEC-Q101 au monde^® MOSFET. Avec la plus faible résistance à l’état passant de tous les appareils à canal p de -80 V, le nouveau Vishay Siliconix SQJA81EP augmente la densité de puissance et l’efficacité dans les applications automobiles. Dans le PowerPAK compact de 5,13 mm par 6,15 mm^® Boîtier unique SO-8L avec fils papillon, le SQJA81EP offre une résistance à l’état passant jusqu’à 17,3 mΩ maximum / 14,3 mΩ typique à 10 V.

La résistance à l’état passant du MOSFET de qualité automobile publié aujourd’hui est 28% inférieure à celle de l’appareil concurrent le plus proche du package DPAK – tout en offrant une empreinte 50% plus petite – et 31% inférieure à celle des solutions de la génération précédente. Ces valeurs se traduisent par des économies d’énergie en minimisant les pertes de puissance dues à la conduction tout en permettant une sortie plus élevée pour une densité de puissance accrue. Combiné à la charge de grille supérieure du SQJA81EP jusqu’à 52 nC à 10 V – ce qui réduit les pertes dues à la commande de grille – le résultat est le meilleur temps de charge de grille de sa catégorie sur la résistance, un facteur de mérite critique (FOM) pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion de puissance .

Avec un fonctionnement à haute température jusqu’à +175 ° C, l’appareil offre la robustesse et la fiabilité requises pour les applications automobiles telles que la protection contre l’inversion de polarité, la gestion de la batterie, la commutation de charge latérale élevée et l’éclairage LED. De plus, les dérivations papillon du SQJA81EP permettent d’augmenter les capacités d’inspection optique automatique (AOI) et de soulager les contraintes mécaniques pour une fiabilité accrue au niveau de la carte.

La valeur nominale de -80 V de l’appareil offre la marge de sécurité requise pour prendre en charge plusieurs rails de tension d’entrée courants, y compris les systèmes 12 V, 24 V et 48 V. La densité de puissance accrue du MOSFET permet d’économiser de l’espace sur les circuits imprimés dans ces systèmes en réduisant le nombre de composants nécessaires en parallèle. De plus, en tant que dispositif à canal p, le SQJA81EP permet des conceptions d’entraînement de porte plus simples qui ne nécessitent pas la pompe de charge nécessaire à ses homologues à canal n. Sans plomb (Pb), sans halogène et conforme RoHS, le MOSFET est testé à 100% Rg et UIS.

Les échantillons et les quantités de production du SQJA81EP sont maintenant disponibles, avec des délais de 14 semaines.

Vishay fabrique l’un des plus grands portefeuilles au monde de semi-conducteurs discrets et de composants électroniques passifs essentiels aux conceptions innovantes sur les marchés de l’automobile, de l’industrie, de l’informatique, de la consommation, des télécommunications, de l’armée, de l’aérospatiale et du médical. Au service des clients du monde entier, Vishay est L’ADN de la technologie.™ Vishay Intertechnology, Inc. est une société du Fortune 1 000 cotée au NYSE (VSH). Plus d’informations sur Vishay sur www.Vishay.com.

L’ADN de la technologie™ est une marque commerciale de Vishay Intertechnology. TrenchFET et PowerPAK sont des marques déposées de Siliconix Incorporated.

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