Industrie mondiale de la mémoire de nouvelle génération – avec entre autres Toshiba, la technologie Micron et SanDisk

Dublin, 28 mai 2021 (GLOBE NEWSWIRE) – Le rapport «Marché de la mémoire de nouvelle génération par technologie, application et géographie – Prévisions mondiales jusqu’en 2026» a été ajouté à ResearchAndMarkets.com de offre.

Le marché de la mémoire de nouvelle génération devrait croître au taux de 29,3% CAGR d’ici 2026. La mémoire de nouvelle génération est une technologie de stockage avancée qui est utilisée dans le domaine de l’informatique. L’émergence de nouvelles technologies telles que le big data, l’Internet des objets et l’intelligence artificielle a accru la demande d’appareils hautement accessibles compatibles avec ces technologies. La mémoire de nouvelle génération a diverses applications telles que les téléphones mobiles, le stockage de masse, l’électronique grand public, l’aérospatiale et la défense.

Une augmentation drastique du développement technologique et l’énorme génération de données ont considérablement augmenté la demande de mémoires avancées capables de traiter d’immenses données de manière efficace, rentable et adaptable. La mémoire de nouvelle génération est la mémoire compatible avec presque toutes les exigences des utilisateurs finaux. La mémoire de nouvelle génération offre divers avantages, notamment une consommation d’énergie moindre et un fonctionnement très rapide par rapport aux technologies de mémoire existantes. Cependant, une stabilité inadéquate dans des conditions environnementales sévères est un facteur clé pour freiner la croissance du marché de la mémoire de nouvelle génération.

Marché de la mémoire de nouvelle génération par technologie

• Non volatile

• Mémoire à accès aléatoire magnéto-résistive (MRAM)

• RAM ferroélectrique (FRAM)

• Mémoire résistive à accès aléatoire (ReRAM)

• Xpoint 3D

• Nano RAM

• Autres technologies non volatiles

• Volatil

• Cube de mémoire hybride (HMC)

• Mémoire à bande passante élevée (HBM)

Marché de la mémoire de nouvelle génération par application

• BFSI

• Electronique grand public

• Gouvernement

• Télécommunications

• Informatique

• Autres applications

Marché de la mémoire de nouvelle génération par géographie

• Amérique du Nord

• L’Europe 

• Asie-Pacifique

• Reste du monde

Premièrement, le marché de la mémoire de nouvelle génération est classé en fonction d’une technologie divisée en non volatile et volatile. Le marché par la technologie est dominé par la technologie non volatile. En outre, la technologie non volatile est divisée en mémoire à accès aléatoire magnéto-résistive (MRAM), RAM ferroélectrique (FRAM), mémoire à accès aléatoire résistif (ReRAM), 3D Xpoint, Nano RAM et autres technologies non volatiles. Les facteurs à l’origine du marché des technologies non volatiles comprennent la pénétration de l’Internet des objets, des applications de nation intelligente et des pays numériques produisant d’énormes volumes de données nécessaires pour stocker et analyser efficacement afin d’améliorer le mode de vie et les entreprises de la société. De plus, la technologie non volatile est hautement fiable et peut être programmée à l’aide d’un micro-ordinateur simple.

Les applications du marché de la mémoire de nouvelle génération comprennent le BFSI, l’électronique grand public, le gouvernement, les télécommunications, la technologie de l’information et d’autres applications. On estime que le segment de l’électronique grand public est en tête de la part de marché au cours de la période de prévision. Les appareils grand public se révèlent plus intelligents grâce aux progrès technologiques continus. Les applications basées sur l’intelligence artificielle ont fait grimper la demande de stockage peu coûteux et élevé et de processeurs plus rapides. Le marché de la mémoire de nouvelle génération connaît une croissance majeure, car les besoins en mémoire haut de gamme augmentent de façon exponentielle, en raison de l’intérêt des consommateurs.

La région Asie-Pacifique occupe la part la plus élevée du marché de la mémoire de nouvelle génération. Cela est dû à leur énorme portée dans différentes applications. Cela peut être principalement attribué à l’utilisation élevée de l’électronique grand public, en particulier des smartphones, des tablettes et des ordinateurs portables, dans cette région, ce qui entraîne une forte demande de produits électroniques grand public.

Peu de facteurs motivant le marché mondial de la mémoire de nouvelle génération sont la demande croissante de solutions de mémoire rapides, rentables et efficaces, qui ont accru les besoins en mémoire de nouvelle génération dans le monde entier. La demande de technologies de mémoire avancées a augmenté avec le marché croissant des gadgets électroniques et les besoins croissants en matière de stockage de données. La prolifération du marché mondial des tablettes et des smartphones alimente le marché de la mémoire vive dynamique (RAM) mobile. La demande de mémoire de nouvelle génération augmente également à travers le monde.

Les concurrents notables du marché des mémoires de nouvelle génération sont Adesto Technologies Corporation, Inc., The International Business Machines Corporation (IBM), Samsung Electronics Co., Ltd., SK Hynix Inc Toshiba Corporation, Micron Technology, Inc., SanDisk Corporation, Fujitsu Ltd et Cypress Semiconductor Corporation.

Désormais, la technologie de mémoire de nouvelle génération comblera les lacunes de la hiérarchie de stockage actuelle, fournissant des données là où elles sont nécessaires pour un traitement en temps réel. Les technologies de mémoire à venir peuvent garder le Big Data plus près des processeurs avec moins de coûts ou de consommation d’énergie de SRAM et DRAM.

L’histoire continue

• Le rapport décrit l’évaluation du scénario demande-offre tel que la production, la demande et l’offre du marché mondial.

• Ce rapport définit, analyse et prévoit la taille du marché de la mémoire de nouvelle génération en analyse qualitative et quantitative.

• Ce rapport comprend les moteurs et les défis du marché mondial de la mémoire de nouvelle génération.

• Ce rapport couvre les développements concurrentiels tels que les extensions, les lancements de nouveaux produits, les fusions et les acquisitions sur le marché de la mémoire de nouvelle génération.

Principaux sujets abordés:

1. Résumé

2. Perspectives de l’industrie

3. Aperçu du marché

4. Caractéristiques du marché

5. Technologie: taille et analyse du marché

6. Application: taille du marché et analyse

7. Géographie: taille du marché et analyse

8. Paysage concurrentiel
8.1. Analyse comparative des concurrents
8.2. Développements du marché
8.2.1. Fusions et acquisitions, juridique, récompenses, partenariats
8.2.2. Lancement et exécution de produits

9. Profils des fournisseurs
9.1. Adesto Technologies Corporation, Inc.
9.1.1. Aperçu
9.1.2. Aperçu financier
9.1.3. Offres de produits
9.1.4. Développements
9.1.5. Stratégie d’entreprise
9.2. Samsung Electronics Co., Ltd.
9.2.1. Aperçu
9.2.2. Aperçu financier
9.2.3. Offres de produits
9.2.4. Développements
9.2.5. Stratégie d’entreprise
9.3. The International Business Machines Corporation (IBM)
9.3.1. Aperçu
9.3.2. Aperçu financier
9.3.3. Offres de produits
9.3.4. Développements
9.3.5. Stratégie d’entreprise
9.4. SK Hynix Inc.
9.4.1. Aperçu
9.4.2. Aperçu financier
9.4.3. Offres de produits
9.4.4. Développements
9.4.5. Stratégie d’entreprise
9.5. Toshiba Corporation
9.5.1. Aperçu
9.5.2. Aperçu financier
9.5.3. Offres de produits
9.5.4. Développements
9.5.5. Stratégie d’entreprise
9.6. Micron Technology, Inc.
9.6.1. Aperçu
9.6.2. Aperçu financier
9.6.3. Offres de produits
9.6.4. Développements
9.6.5. Stratégie d’entreprise
9.7. Société SanDisk
9.7.1. Aperçu
9.7.2. Aperçu financier
9.7.3. Offres de produits
9.7.4. Développements
9.7.5. Stratégie d’entreprise
9.8. Fujitsu Ltd.
9.8.1. Aperçu
9.8.2. Aperçu financier
9.8.3. Offres de produits
9.8.4. Développements
9.8.5. Stratégie d’entreprise
9.9. Cypress Semiconductor Corporation
9.9.1. Aperçu
9.9.2. Aperçu financier
9.9.3. Offres de produits
9.9.4. Développements
9.9.5. Stratégie d’entreprise

10. Opinion d’analyste

11. Annexe

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